코스텍시스, 전기차 SiC 전력반도체용 고방열 스페이서 개발

[서울=뉴시스] 김경택 기자 = 코스텍시스는 차세대 차량용 SiC(탄화규소) 전력반도체 고방열 스페이서를 개발해 국내외 기업에 시제품 납품 중이라고 25일 밝혔다. 코스텍시스는 현재 교보10호스팩과 합병 상장을 추진 중이다.

코스텍시스에 따르면 회사는 기존 차량용 실리콘(Si) 전력반도체를 대체할 수 있는 SiC 반도체와 GaN(갈륨나이트라이드) 반도체의 고방열 스페이스를 개발했다. 현재 현대차와 LG마그나에 시제품을 지속 납품하고 있다.

기존 전력반도체의 대부분을 차지하고 있는 실리콘 반도체는 동작 온도가 약 150도 이상이 되면 반도체로서의 기능을 상실한다. 이런 단점을 보완하기 위해 주목받는 차세대 반도체가 SiC 반도체와 GaN 반도체다. SiC와 GaN 반도체는 물질 특성이 우수해 실리콘 반도체와 달리 150도 이상의 고온에서도 동작이 가능하다.

한규진 코스텍시스 대표이사는 "코스텍시스는 일본 등 선진사로부터 수입에 의존하던 SiC, GaN 반도체의 필수 재료인 저열팽창 고방열소재 국산화에 성공했다"면서 "향후 차세대 전력반도체의 고성장에 맞춰 국내외 시장을 적극 공략해 중장기적인 성장 동력을 만들어 가겠다"고 말했다.
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