美상무부, 반도체법 상 소재·장비 투자에 3억弗 인센티브

[세종=뉴시스]손차민 기자 = 미국 상무부가 반도체과학법(CHIPS and Science Act) 인센티브 프로그램 중 3억 달러에 달하는 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획을 공고했다.

23일 산업통상자원부에 따르면 미국 상무부는 지난해 8월 발효된 반도체법 인센티브 중 두 번째 세부 지원안인 소재·장비 제조시설에 대한 지원안을 이날 발표했다.

지난 2월28일 반도체 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획이 처음으로 공개된 바 있다.

반도체법에 따라 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 ▲반도체 제조시설 ▲반도체 소재·장비 제조시설 ▲연구개발(R&D) 시설 투자에 대한 지원으로 구성돼 있다.

이번에 발표한 3억 달러 이상 규모의 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획은 지난 2월 28일에 발표한 세부 지원계획과 동일한 지원 기준이 담겼다.

이에 따라 보조금 수령 규모가 1억5000만 달러 미만인 경우에는 초과이익 공유, 보육프로그램 마련 등은 적용되지 않는다.

산업부는 반도체 제조설비와 달리 우리 소재·장비 기업의 대미투자 규모는 상대적으로 크지 않은 것으로 파악하고 있다.

이에 따라 반도체법에 따른 재정 인센티브를 수령할 의향이 있는 웨이퍼 제조기업을 포함한 소재·장비기업들은 이번 공고상의 혜택과 조건 등을 종합적으로 고려해 오는 9월 1일부터 사전 신청을 할 수 있다.

이어 10월23일부터 본 신청을 거쳐 재정 인센티브 지원 여부·규모를 미국 정부와 협의하게 된다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%의 직접 지원을 받게 된다.

산업부 관계자는 "이번에 발표된 세부 지원계획이 업계에 미치는 구체적인 영향을 업계와 긴밀히 논의해 미국 정부와의 협의 등을 지원해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
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